JEDECがUFS 5.0規格を正式公開──最大10.8 GB/sの転送速度はPCIe 4.0 NVMe SSDを超える

■事実

半導体規格標準化団体のJEDECは2026年2月26日、次世代フラッシュストレージ規格「UFS 5.0」を正式公開した。

正式な仕様書はJESD220HおよびJESD223G（UFSHCI 5.0）として公開され、JEDECの公式サイトからダウンロード可能となっている。

UFS（Universal Flash Storage）は主にスマートフォンやタブレット、車載システムなどの組み込みデバイスに使われる高速フラッシュストレージ規格で、KIOXIAの発表（https://europe.kioxia.com/es-es/business/news/2026/20260224-1.html）によればUFS 4.0の最大5.8 GB/sに対し、UFS 5.0では最大10.8 GB/sの双方向シーケンシャル転送速度を実現する。

これはUFS 4.0比でほぼ2倍の性能向上となる。

Liliputingの報道（https://liliputing.com/ufs-5-0-storage-supports-speeds-up-to-10-8-gb-s-faster-than-pcie-4-0-nvme-ssds/）によれば、10.8 GB/sという数字はPCIe 4.0 x4リンクの理論上限である8.0 GB/sを超えており、一般的なNVMe SSDの転送速度を上回ることになる。

この速度向上の技術的背景は、物理層インターフェースの世代交代にある。

UFS 5.0ではMIPI M-PHY v6.0とUniPro 3.0を採用し、新たに追加されたHS-GEAR6（High-Speed Gear 6）モードでは1レーンあたり最大46.6 Gbpsのデータレートを実現する。

2レーン構成で合計約10.8 GB/sの実効帯域幅となる仕組みだ。

以下に各世代のUFS規格の主要スペックを整理する。

パフォーマンスの向上だけでなく、UFS 5.0では信号品質・電源設計・セキュリティの各面でも強化が施されている。

信号品質については統合リンクイコライゼーションを導入し、高データレートでも安定した信号伝送を実現する。

電源設計ではPHYとメモリサブシステム間のノイズ分離を目的とした専用電源レールが設けられ、システム統合の容易化に寄与する。

セキュリティ面ではインラインハッシュによるデータ整合性チェックが追加され、データ改ざんや破損の検出精度が向上した。

UFS 4.xとの後方互換性は維持されている。

適用分野としてはスマートフォン・タブレット・ウェアラブルに加え、車載システム、エッジコンピューティング、さらにゲーム機器への展開も想定されている。

JEDECのプレスリリースにはSamsung、SK hynix、Sandisk、MediaTek、KIOXIAが各社のコメントを寄せており、業界全体での対応準備が進んでいることがうかがえる。

KIOXIAはUFS 5.0規格の正式公開に先立つ2026年2月24日、512 GBおよび1 TBのUFS 5.0デバイスのサンプル出荷を開始したと発表した。

サンプル品は7.5×13 mmのパッケージに収まっており、同社独自開発のUFS 5.0対応コントローラーと第8世代BiCS FLASHを組み合わせたものだという。

なお、このサンプルはホストシステム開発向けの動作評価用であり、量産製品の仕様が変わる可能性があるとKIOXIAは説明している。

SK hynixはUFS 5.0についてオンデバイスAIの観点から言及しており、LLMの読み込み時間の大幅短縮や、スマートフォンでのAI機能の即時利用を可能にすると述べている。

また公式Zoned LU統合によりAI処理の持続的な最適化が可能になるとしている。

Samsungは以前のロードマップで2027年にUFS 5.0製品の量産を計画していることを示しており、Galaxy S27シリーズなどのフラグシップ機への初搭載が現実的なシナリオとなっている。

ただしNVMe SSDとの直接比較には注意が必要で、UFS部品はそもそも省電力・省スペースに最適化された組み込み向けの設計であり、PCIe 5.0 x4リンクを使う最新のNVMe SSDは理論上限16 GB/s程度と、UFS 5.0を大きく上回る帯域幅を持つ。

■解説

正直なところ、10.8 GB/sという数字を初めて見たとき、「本当にスマートフォンのストレージの話か？」と思いました。

PCIe 4.0 NVMe SSDの理論上限が8 GB/sですから、スペック上はそれを超えてしまうわけですよね。

もちろん実際の体感差がそのまま出るわけではないですし、比較対象のNVMe SSDと使用環境がまったく違うので「スマホのストレージがSSDより速い！」と単純に騒ぐのは早計です。

ただ、方向性として見ると、これは非常に重要な節目だと思っています。

スマートフォンの弱点として長年挙げられてきたのがストレージの帯域幅でした。

高性能なSoCを積んでも、データの読み書きがボトルネックになってしまうケースがあったわけです。

特に昨今のオンデバイスAIの文脈では、端末内でLLM（大規模言語モデル）を動かす際にストレージからのモデル読み込み速度がレスポンス速度に直結します。

SK hynixが「LLMの読み込み時間を大幅短縮できる」とわざわざコメントしているのは、そこが実際にボトルネックになっているからこそでしょう。

KIOXIAがすでにサンプル出荷を開始しているのも注目ポイントです。

規格公開と同時に実物サンプルが存在するというのは、業界全体の準備がかなり進んでいることを示しています。

Samsung、SK hynix、Sandisk、MediaTekまで各社がコメントを寄せている点を見ても、今回の規格が業界標準として急速に普及していく流れは確実だと感じます。

とはいえ、消費者として実感できるのは早くても2027年ごろでしょう。

SamsungのロードマップではGalaxy S27シリーズあたりが最初の本命になりそうですし、他社のフラグシップも追随してくると予想されます。

個人的に気になるのは、UFS 5.0がゲーム機器への展開も明示されている点です。

次世代スマホやタブレットだけでなく、将来のゲームコンソールや車載インフォテインメントシステムにまで波及すると、この規格の影響範囲はかなり広くなります。

当面は開発者・メーカー向けのサンプル段階ですが、2026年後半から2027年にかけて実機搭載情報が出てくれば、一気に注目度が高まりそうですね。

【Switch 2のストレージとUFS 5.0の関係について】

Switch 2の本体内蔵ストレージは256 GBで、規格はUFS 3.1が採用されていると見られています。

UFS 3.1の理論上の最大帯域は約2.1 GB/sで、現行フラグシップスマートフォンが使うUFS 4.0（約5.8 GB/s）と比較すると、すでに一世代以上後れを取っている規格です。

コスト・発熱・省電力のバランスを考えたゲーム機向け設計としては合理的な選択ではありますが、UFS 5.0の10.8 GB/sと比べると実に5倍以上の差があることになります。

その内蔵ストレージを拡張するために使うのが、Switch 2専用のmicroSD Express（SD 7.1規格）です。

PCIe 3.0 x1レーンを使用しており、理論上の最大転送速度は約985 MB/s。

実際の市販カード（SanDiskやSamsung製）では読み込み速度800〜880 MB/s前後が一般的です。

ここで少し面白いことに気づきます。

拡張カードのmicroSD Express（最大985 MB/s）は、本体内蔵ストレージのUFS 3.1（最大約2.1 GB/s）よりもスペック上は遅いんですよね。

つまり「内蔵ストレージの方が速く、外付け拡張は少し落ちる」という構成になっているわけです。

それでも旧Switch世代のmicroSDカード（UHS-I、最大104 MB/s）と比べれば約9倍の高速化ですし、実際にプレイしてみると拡張カード上のゲームも本体内蔵と体感差なく動作すると各所で報告されています。

この構成を踏まえてUFS 5.0の話に戻ると、もし将来のNintendo Switch後継機の内蔵ストレージにUFS 5.0が採用されれば、今の構成とは根本的に違う体験になります。

内蔵ストレージが10.8 GB/sになれば、大容量ゲームのロード時間やテクスチャストリーミングの速度は劇的に変わるはずです。

JEDECが今回のUFS 5.0の説明でゲーム機器への展開を明示していたのは、こうした次世代コンソール需要を意識してのことでしょう。

SD Expressが「外側の拡張」を担う規格とすれば、UFS 5.0は「内側の基盤」を刷新する規格——そう考えると、両者は競合ではなく補完関係にあると言えるかもしれません。

Switch 2の次世代機がいつ来るかはまだ未知数ですが、そのときの内蔵ストレージにUFS 5.0が採用されていたら、ゲーム体験はまた別次元になるでしょうね。