中国の半導体産業は、家庭用の自家製製品、特に自家製製品の使用が最も望ましい政府施設に重点を置き、産業のあらゆる分野での独立を求めています。
China Securities Journalのレポートによると、中国企業はDRAMメモリの生産を開始しました。
2016年に国内のシリコン生産を後押しするために設立されたChangXin Memory Technologyという会社は、月曜日にMicron、SK Hynix、Samsungなどの企業からの外国メモリの現在の供給を直接置き換えることを目指してDRAMメモリの生産を開始しました。
ChangXinが「10ナノメートルクラス」ノードと呼ぶ18 nmテクノロジーを使用して構築されているため、このDRAMチップは、置き換えようとする競合他社の提供にそれほど遅れをとっていません。
Micron、Samsung、およびSK Hynixは、DRAMチップの製造に12、14、および16 nmのノードを使用しているため、これまでの中国の取り組みは非常に優れています。
同社は毎月約120.000枚のウェーハを生産することを約束しており、今年の終わりまでに最初のチップを提供する予定です。
ソース：techpowerup - China Starts Production of Domestic DRAM Chips
解説：
ついに中国企業がDRAMの生産を開始
中国は半導体製品の内製化を目指していましたが、「産業の米」と言われるメモリの国産化に向けて最終段階に入りました。
メモリを生産している大手企業としてはMicron、Samsung、SK Hynixがありますが、中国国内の電子機器に関しては、ChangXin Memory Technologyが供給することになるのでしょう。
中国生産の輸出品にも使われるでしょうから、現在ファーウェイ・シャオミと言った中国企業にメモリを供給している企業は取引を切られるのではないかと思います。
現在世界的にメモリ需要が減少し、メモリ価格が下がっています。
来年からは需要が回復するとも言われていますが、中国の企業がメモリの生産を開始することによって、恐らくはメモリの生産企業に競争が起こり、脱落するところが出て来るのではないかと思います。
中国のメモリ内製化は国策ですので、価格などは関係ありません。
よって、いくら安くしても取引は戻ってこないと思います。
よくも悪くも中国というのは公正な取引というのは無いお国柄です。
韓国も電力公社が長年赤字を垂れ流すほど電気料金を安くして猛烈なダンピングをして価格競争力を上げていますが、中国向けにはそういう方法は通じないということです。
製造プロセスは記事中にあるChangXin Memory Technologyが18nm、MicronやSamsung、SK Hynixなどの既存企業が12、14、および16 nmの製造プロセスを使用していますので、最初に生産する製品としてはこの上もなく優れていると言ってよいのではないでしょうか。
メモリを生産してた企業にとっては今後かなり厳しい状態になるのではないかと思います。
現在米中貿易戦争の真っ最中であり、この中国産メモリが近日中に日本に入ってくるかどうか迄はわかりませんが、恐らくマザーボードの動作確認済みメモリのリストには載ってくると思います。
完成品のDIMMまでを件のChangXin Memory Technology生産するかどうかはわかりません。
しかし、ChangXin Memory Technologyの名前は自作ファンならば押さえておきたいところです。