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Intelの次世代Xe-HPGゲーミングGPUはTSMCの6nmプロセスノードを利用、2021年のディスクリートグラフィックスラインアップで発売へ

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Intelは、同社の次世代GPU「Xe-HPG」をベースにした初のゲーミングディスクリートグラフィックスカードを来年にも発売する。

ゲーミングラインナップには様々な製品が登場するが、Intel独自の10nm SuperFinプロセスノードで製造されるXe-LP & Xe-HP GPUラインとは異なり、Xe-HPG GPUは外部ファウンドリで製造されることになり、TSMCが最も可能性の高い候補として挙げられている。

TSMCがIntelのXe-HPG GPU受注を獲得、6nmプロセスノードで製造される初のゲーミングディスクリートラインアップ

台湾の報道によると、TSMCがIntelの次世代GPU「Xe-HPG」の受注に自信を持っているようだ。

IThome (@harukaze5719)が報じたところによると、IntelのXe-HPG GPUは、TSMCの最先端の製造技術を利用してTSMCのファブで生産されるとのことです。

台湾の情報筋によると、IntelはTSMCの6nmプロセスノードを、AMDのRDNA 2やNVIDIAのAmpere GPUのラインナップと競合するゲーミングGPUに利用する可能性が高いという。

Xe-HPGクラスのゲーミングGPUは、比較的製造が容易な標準的なパッケージングデザインを採用し、データセンターやHPCチップは、EMIB、CO-EMIB、FOVEROSなど、インテルが長年にわたって革新してきた先進的なパッケージング技術をミックスして使用する予定です。

ここでは、すべての我々は、Xe-HPG GPUを搭載したインテルのディスクリートゲーミンググラフィックスカードについて知っていることだ

Intelのゲーミンググラフィックスカードのラインナップには、Xe-HPG GPUが搭載される。

この特定のGPUは、Xeマイクロアーキテクチャファミリー内の別のカテゴリーである。Xe-LPとXe-HPの間に位置し、主にゲームユーザーをターゲットにしている。

Xe-HPG GPUは、1つのタイルを使用することが予想され、1つのタイルが512のEUで構成されていると仮定すると、フラッグシップチップの最大4096コアを見ている。

私たちの独占レポートとIntelがPonte Vecchioチップに関して話したことに基づいて、IntelはMCMトレインに乗っているように見えます。

ここに、Intelの様々なMCMベースのXe HP GPUの実際のEUカウントは、推定コア数とTFLOPsと一緒にあります(あなたはここにIntelによって提示されたこれらの印象的なパフォーマンスの数字についての詳細を読むことができます)。

  • Xe HP (12.5) 1-Tile GPU: 512 EU [Est: 4096 Cores, 10.6 TFLOPs 1.3 GHz, 150W]
  • Xe HP (12.5) 2-Tile GPU: 1024 EUs [Est: 8192 Cores, 21.2 1.3 GHz, TFLOPs, 300W]
  • Xe HP (12.5) 4-Tile GPU: 2048 EUs [Est: 16,384 Cores, 42.3 TFLOPs 1.3 GHz, 400W/500W]

もちろん、Intelは、そのXe-HPGゲーム専用GPUでより高いEUカウントを選択することができますが、それは最終的な仕様が開示されるまで見てみましょう。

ゲームに特化した機能としては、Intel Xe-HPGを搭載したグラフィックスカードは、ハードウェアアクセラレーションされたレイトレーシングを特徴とし、パフォーマンスと価値を最適化するためにGDDR6メモリを搭載するのに対し、データセンター市場を対象としたXe-HPのラインナップはHBMメモリを選択する。

Intelは最近、次期Tiger Lake CPUに搭載されたXe LP GPUの最初のデモを見せてくれましたが、このデモで見られるように、Intelにとって統合グラフィックス性能の大きな飛躍であることが証明されています。

Xe HPとXe HPC GPUに関する詳細な情報は、今後数ヶ月のうちに提供される予定です。

ソース:wccftech - Intel’s Next-Generation Xe-HPG Gaming GPUs To Utilize TSMC’s 6nm Process Node, Launching in 2021’s Discrete Graphics Lineup

 

解説:

XeはやはりTSMCの6nmで生産されるっぽい。

IntelのdGPUであるXeは当初5nmと言う噂が出ていましたが、どうもTSMCの6nmで生産されるようですね。

各ノードによってどのくらいトランジスタ密度に違いがあるのかを表にしてみました。

電気的特性(性能・省電力性)などではなくあくまでも密度だけですのでその旨お断りさせていただきます。

トランジスタ密度
(Mtr/mm²)
TSMC16/12nm28.88
TSMC7nm(N7PPA)96.27
TSMC7nm(N7P)96.27
TSMC7nm(N7+)115.52
TSMC6nm(N6)114.20
TSMC5nm171.30
Samsung8nm61.18
Inte14nm++37.22
Intel10nm100.76

今回話に上がっているTSMC6nmはトランジスタ密度としてはTSMC7nmEUVとほぼ同じで、その低コスト版と言う位置づけになります。

こうしてみると、Samsung8nmのトランジスタ密度があまり高くないのがよくわかるのではないかと思います。

もちろんIntelやTSMCの14nm、12nmほどではありませんが、Samsungの8nmは10nmの改良なので、製造プロセスの数字から受ける印象の割にはあまり密度が高くないのがわかっていただけると思います。

TSMC7nmの2/3ほど、7nmEUVと比較すると半分強程度でしかありません。

仮にRDNA2のNaviが7nm+を使うとしたら、半分程度の密度になると言うことになります。

TSMC16/14/12nmと7nmを一世代分とすると、約0.5-0.75世代分の差があるとみてよいでしょう。

第一世代のNaviとTuringでは性能はほぼ同等でも省電力性ではNaviに負けていました。

そのため、RDNA2 VS Ampereはほぼ互角になる可能性が非常に高いと言えるでしょう。

この構図はXeにもほぼそのまま当てはまり、Xeがどの程度の性能を出せるのかによって、Radeon、Xe、Geforceの力関係が決まってくると思います。

もっともXeはかつてRadeon開発チームを率いていたRaja氏が開発チームの指揮を執っているのでしょうから、Radeonが別方向に進化したGPUと言ってもよいかもしれません。

あとはドライバや周辺技術などでどのくらいカバーできるのかなと言った趣でしょう。

それを考えると、やはりGeforceに一日の長があるのかなと思います。

Intelが7nm+をあえて使わずにN6でゲーム向けXeを生産するというのはコストに敏感なIntelらしい選択と言えます。

 

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