ここ数年、台湾のチップメーカーTSMCは脚光を浴びています。
ファブは、スマートフォンではAppleから、PCスペースではAMDからの注文を獲得しました。
Appleの注文に関して、TSMCのプロセスは韓国の技術大手サムスンのファウンドリとの厳しい競争をもたらします。
AMDの場合、照準を合わせたのはIntelです。
TSMCは迅速に新しいパフォーマンスノードを立ち上げました。
同社の予測が正しいことが判明した場合、5nmプロセッサがリストの最先端に間もなく表示されるでしょう。
しかし、今日、TSMCで物事が順調に進んでいる可能性があることを示唆するレポートに出会いました。
このレポートでは、iPhone 11に使われているA13 SoCに対するAppleの設計上の決定について興味深い推論を行うこともできます。
詳細については、以下をご覧ください。
TSMCの7nm+（N7+）の歩留まりは請求元の70％に落ち、Fabの粗利益に影響
10nm以降、TSMCの最初の真のノードの縮小は、同社が7nmとして販売するものです。
これに続いて、次のノードの縮小が5nm、またはTSMCで内部的にダビングされるN5の形式に移行する前に、3回の反復(7nmプロセスが3種類あることを指しているものと思われる)があります。
N5は、第1世代の7nm(N7）と比較してトランジスタ密度を2倍にし、パフォーマンスを15％向上させるはずです。
N7の後には、標準深紫外線リソグラフィを使用するN7Pが続き、シリコン上にはるかに微細な回路を実装できる極端紫外線パターニングに移行しません。
この移行はN7+で行われ、当然のことながら、このプロセスはテクノロジーの世界で多くの誇大広告を生み出しました。
AppleもiPhone 11の発売前にEUVを取り巻く誇大広告に巻き込まれ、TSMCの最初のEUVベースのプロセスで製造されたA13についての報告が漂っていました。
しかし、クパチーノの技術大手(アップル)がチップにN7+を使用していないことが確実になった今、Weiboに浮かぶ中国での興味深い噂に出くわしました。
詳細によると、TSMCのN7+の歩留まりは70％を下回り、最終的に会社の粗利益にも影響を与えました。
これにより、当然、歩留まりの問題が原因でAppleがA13にN7+を使用できなかったと推測されます。
結局、EUVノードにより、会社は電力効率とトランジスタ密度をそれぞれ10％と20％改善することができました。
あるいは、Appleは、N7+で選択された少数の選択ではなく、すべてのレイヤーにEUVリソグラフィを使用したプロセスを使用したいと考えていました。
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ソース：wccftech – TSMC’s N7+ EUV Yield Dropped Below 70% Claims Report
解説：
A13はEUVではなかった？
私もよく理解してなかったのですが、TSMCのプロセスには標準の7nmであるN7のほかにN7P、N7+があり、N7PはUV(深紫外線パターニング)で、N7+がEUV(極端紫外線パターニング)となるようです。
A13にはEUVが使われるという話でしたが、使われたのはN7Pであり、EUVは使われなかったというのが真相のようです。
このあたりの理解は元記事を読んでもちょっと確定できないところがあり、間違いがあったら指摘していただきたいです。
一番注目を浴びていたのは最先端技術のN7+の方ですが、こちらは歩留まりが70%を下回っており、利益率に大きな影響を与えるため量産できなかったというのが真相のようです。
こちらは今後も改良を続けるのではないかと思いますが、そこもはっきりと書かれてはいませんね。
N5の移行が危ぶまれているというような話も出ていましたが、最近の半導体製造プロセスの進化を見ていると、無理にN5に移行しようとせずにN7+をきちんと立ち上げてから移行した方が良いのではないかと思ってしまいます。
なんにせよ快進撃を続けてきたTSMCから出たあまりよくない話であり、半導体製造の最先端を走ることが如何に難しいかよくわかる話です。
A13で7nmEUV(7nm+)が使われなかったということは、Zen3もN7Pになるんですかねえ。
訂正記事を書きました。