フラッシュメモリサミットでの東芝は、BiCS 4フラッシュメモリテクノロジーに基づいたセルあたり5ビットメモリソリューションの開発に成功したことを発表しました。
これは、改良されたQLCテクノロジーがネイティブ開発のペンタレベルセル（PLC）ソリューションよりも常に劣るため、このテクノロジーが実現可能であるだけでなく、改善の余地があることを示しています。
（QLCと比較して）セルごとに1ビットの追加情報を保存するこの機能を実現するには、新しいレベルの電圧調整が必要です。セルは、32の電圧状態のいずれかに応じて状態を変更できる必要があります。 、フラッシュメモリコントローラによって正しく読み出される必要があります。
これにより、セルのパフォーマンスと耐久性が低下し（セルあたりのビット数の増加と同様）、このパフォーマンスの低下を緩和および補償するための多くのソリューションが必要になります。
しかし、製造業者から密度がますます懸念されるようになったため、同じシリコン領域にさらに多くの情報を保存できる、より深く可変的な電圧状態が継続的に開発されています。
高密度は安価なソリューションを意味しますが、このような方法で密度を上げることは、シングルレベルセル（SLC）から（今日ではユビキタスな）QLCへの移行以来よく知られているトレードオフをもたらすでしょう。
ソース：techpowerup – Toshiba Talks About 5-Bit-per-Cell (PLC) Flash Memory
解説：
東芝メモリがPLC(5bitの情報を保存できるフラッシュメモリセル)について語ったようです。
実は過去にwccftechの独占としてOCL(Octa Level Cell)の話題について出したことがありますが、夏ごろ登場という話にも関わらず出てこなかったので、ガセか何か問題があったのかどっちかよくわかりませんが、最終的には嘘情報だったと判断しましたので、この情報も入れるかどうか迷いました。
techpowerupからの情報だったので翻訳しましたが、PLCはいつ頃登場するんですかね。
元記事だとすでに開発に成功したということですので1年後くらいには登場するのでしょうか。
元記事だとぼかして書いてありますが、1セルあたりに記録できる情報が増えると懸念されるのは読み書き速度の低下と耐久性の低下です。
この辺をどのように解決していくかが製品のカギになると思います。
QLCに関しては結局出回っているのはintelの660pとMicron(Crucial)のP1だけという惨憺たる有様でした。
SamsungもQ860を出してはいますが、SATAであることに加え価格的にかなり厳しいです。
PLCがどんな製品になるのかは注目したいところです。
結局TLCからQLCへの移行はMLCからTLCの時の様には進んでいません。
そのため、SSDの大容量化に関しては従来よりも速度が落ちていると思います。
2TBのSSDが普及価格帯に落ちてくるのが遠すぎますね。
フラッシュメモリは微細化すると耐久性が落ちるので、単純に微細化すればよいというものでもありません。
そのため、こうした問題を解決するには3D NANDのように新しい技術が必要になるのでしょうが、是非とも大容量化が進んでほしいところです。