TSMCは急速に「オングストローム時代」へと歩みを進めており、新たなレポートによると、最先端のA16およびA14プロセスの準備は既に台湾で進められている。
TSMC、オングストローム時代への進出と米国での生産拡大で競争力強化を計画
この台湾の巨大企業は、競合他社を圧倒する非常に競争力の高い製品投入ペースで事業を展開している。
さらに重要なのは、同社を取り巻く地政学的な懸念にもかかわらず、TSMCは依然として急速な進歩を続けていることだ。
Cteeの新たなレポートによると、TSMCは半導体生産の加速化計画を明らかにしており、同社最大のファブの一つであるFab 22でA14生産に向けた準備が進められている。
さらに重要なのは、米国での生産計画も驚異的なスピードで進められており、アリゾナ州で2nmプロセスを導入する予定で、当初の予定より約1年早まっていることだ。
まず台湾についてお話しましょう。台湾南部にあるTSMCの高雄工場は現在、6つの異なるファブの建設準備を進めており、そのうち5つは2nmおよびA16（1.6nm）の量産専用となります。
6つ目のファブは、2028年までにHVM化が予定されているハイエンドのA14（1.4nm）ノード専用になるとされています。
高雄工場は、同社にとって最も高額な投資の一つと報じられており、投資額は1兆5000億台湾ドル（500億ドル）を超えています。
A16とA14が加わることで、この工場はオングストローム世代をリードすると期待されています。
さて、TSMCアリゾナ工場については、同社が今後2nmプロセスとA16、そしてFab3とFab4を導入する計画であることが明らかになりました。
具体的には、N2の生産開始は2026年後半と予想されています。
しかし、報告書では、アリゾナでの生産能力の拡大は、「配管や電気系統の建設」など、いくつかの課題が依然として残っているため、困難な課題になると指摘されています。
しかし、米国政府がTSMCに対し、台湾と米国を対等に扱うよう働きかけていることを考えると、今後も迅速な進展が期待できます。
TSMCと競合他社を比較すると、IFSのような企業が真に革新的なプロセスノードを開発しない限り、競争は一方的なものになることは明らかです。
Intelの14Aノードは、A14と並んで2028年にHVM化されると予想されているため、ノード技術に関してはIntelとTSMCは同等の立場となるでしょう。
解説：
オングストローム時代に突入
TSMC2nmの次は1.6nm(16オングストローム)で、次世代からいよいよオングストローム時代に入るということになります
A16Aの次はA14で、こちらが2028年後量産予定ということになります。
intelも18A、14Aと次々と微細化を続けていますが、本命はやはり2nmの容量があっという間に完売したTSMCでしょう。
こちらは、アメリカ政府が関税を盾に生産性琵琶アメリカに集中させていることもあって、早期に最先端プロセスをアリゾナFabに手中させるつもりのようです。
原子1個分は1-2オングストロームといわれており、そこに至るまでどんどんと進んでおり、徐々に一桁オングストロームが見えてきています。
- 2025年に2nm
- 2027～2028年に14Å（1.4nm）
- 2029年に10Å（1nm）
- 2031年に7Å（0.7nm）
- 2033年に5Å（0.5nm）
- 2035年に3Å（0.3nm）
ざっくりとした予定だと上のようになっているといわれています。
ちょっと前の情報なので、現在では少し修正があるかもしれません。
おそらく想像よりも早く進んでいるイメージがあるのではないかと思います。
私はそう思いました。
これは、AIチップの需要が高く、多少高価になっても技術を開発を進めてほしいという要望が大きいからだそうです。
そのため、今の半導体の微細化技術を支えているのは完全にAIということになります。