今週初めに韓国Maeil経済によって報告されたように、サムスンは最初の3nmプロセスのプロトタイプを作ることに成功しました。
レポートによると、Samsungの目標は2030年までに世界一の半導体メーカーになることです。
サムスンは、最初の3nmプロセスのプロトタイプを作成することに成功しました！
3 nmプロセスは、FinFETの業界標準とは異なるGate All Around（GAAFET）テクノロジーに基づいています。
この技術の変更により、シリコン全体のサイズが35％削減され、消費電力も50％削減されます。
これにより、5 nm FinFETプロセスと比較して33％のパフォーマンス向上が可能になります。
GAAFETの設計はFinFETの設計とは大きく異なり、GAAFETの設計は、チャネルの4つの側面を持つように構築されているため、電力漏れが確実に低減されます。
これにより、チャネルの制御が改善されます。これは、プロセスノードを縮小する際の基本的な手順です。
この設計により、全体的な小型ノードサイズと組み合わせたより効率的なトランジスタ設計が可能になり、5 nm FinFETプロセスでワットあたりのパフォーマンスが大幅に向上します。
サムスンは当初、2020年には4 nm GAAFETプロセスを使用すると述べていましたが、Garner副社長のSamuel Wangなどの業界ウォッチャーは、GAAFETチップが2022年までに大量生産されることに懐疑的でした。
しかし、最近、Wangは、SamsungがGAAFETチップを業界のウォッチャーが最初に予想したよりも早く生産するようになっているようだと語った。
これは当初、非常に野心的であると考えられていました。
それでも、Samsungが3 nmプロセスの動作プロトタイプを持っている場合、これはベンダーが当初の予想より近い可能性があることを示している可能性があります。
サムスンが1年前に3 nm GAAFETプロセスの作業を始めたとき、この3 nm GAAFETプロセスは、2021年に大量生産を開始する予定でした。
これは、AMDがRyzen 3000シリーズの作成に7 nmの商用ピークを使用した結果です。
ソース：wccftech – Samsung Makes the First 3nm GAAFET Semiconductor!
解説：
サムスンが世界初の3nm GAAFETプロセスのプロトタイプを生産
サムスンが世界初の3nmプロセスのプロトタイプを作ることに成功したとのこと。
一番問題なのは政情不安定な半島情勢です。
去年の12月もそうでしたが、アメリカによる空爆がいつとはじまるかわからない状態では最先端のプロセスを開発してもリスクを恐れて顧客がだれもいないなんてことになりかねません。
現在アメリカはイラクを攻撃するとしており、当面半島情勢に首を突っ込むことは無いと思われますが、一段落すれば必ずまた話が再燃するものと思います。